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注：GaN（氮化镓，Gallium nitride）是Ga（镓）和N（氮）的化合物。
使用GaN材料的功率半导体与Si（硅）半导体相比较，可以在高温下动作，绝缘破坏电场强度高；而与使用SiC材料的功率半导体相比，能够高速开关，具有饱和电子移动度高等性能方面的优势。作为功率半导体，其应用前景很值得期待。
主要特点
（1）高效率化
使用低损失的GaN功率半导体，即使高频驱动，也能降低驱动器部和电机部的损失，提高输入输出效率。
（2）伺服系统的小型化
采用高放热结构，使驱动器部小型化，实现内置于伺服电机的结构。增加外部轴也不需要增加驱动器。
另外，在多轴伺服系统中，控制柜内的数台伺服驱动器部只需一台逆变器，能够实现控制柜的小型化。
（3）省配线
电源为多点连接，指令为基于MECHATROLINK
（4）静音化
以超过可听频率的高频波驱动，降低电机发出的高频噪音。
（5）节能化
通过直流母线可以一并连接数台设备，在使用数台伺服电机的多轴系统中，再生能量可供其他驱动器内置型伺服电机使用。
（6）防水结构
驱动器部和电机部一样，都采用防水结构（IP67），和防水连接器组合使用，可用于有水的环境。
注:逆变器*多可连接8台驱动器内置型伺服电机。（因电缆长度，逆变器容量而不同）
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